📖 第 34 章：FLASH模拟EEPROM实验（Flash as EEPROM）

34.1 STM32F407 FLASH 简介

F407 内部 Flash 1 MB，分 4 个 16 KB + 1 个 64 KB + 7 个 128 KB 扇区。

操作流程：

• 解锁：HAL_FLASH_Unlock();
• 擦除：HAL_FLASHEx_Erase(&erase, &err);（必须按扇区擦）
• 编程：HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_BYTE, addr, data);
• 上锁：HAL_FLASH_Lock();

34.2 硬件设计

本实验使用 USART1 读写 FLASH → 串口显示。

34.3 程序设计

34.3.1 关键代码

#define FLASH_ADDR 0x080E0000    // 扇区 11

void flash_write(uint32_t addr, uint8_t *buf, uint32_t len) {
    HAL_FLASH_Unlock();
    FLASH_EraseInitTypeDef e = {0};
    e.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;
    e.Sector = FLASH_SECTOR_11;
    e.NbSectors = 1;
    uint32_t err;
    HAL_FLASHEx_Erase(&e, &err);
    for (uint32_t i = 0; i < len; i++) {
        HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE, addr + i, buf[i]);
    }
    HAL_FLASH_Lock();
}

void flash_read(uint32_t addr, uint8_t *buf, uint32_t len) {
    for (uint32_t i = 0; i < len; i++) {
        buf[i] = *(__IO uint8_t *)(addr + i);
    }
}

34.3.2 注意

• 写之前必须擦除；
• 按扇区擦除（4 KB 起），不能按字节；
• 写之前 addr 必须已经擦除过（值为 0xFF）。

34.4 下载验证

写入字符串到扇区 11，重启开发板再读 → 一致。