Note

电力电子(Power Electronics)研究的不再是”信号怎么放大”,而是”功率怎么高效地送到负载”:功放推动扬声器、可控硅调节电灯亮度、开关电源给整台电脑供电。本章沿三条线索展开:功率放大器的电路与失真、放大器的类别与效率、以及从变压器到开关稳压电源的完整供电链路。核心矛盾始终是线性度 vs 效率

19.1 引言

“功率放大器”专指以向负载输出大功率为主要任务的电路。不同应用对指标取舍不同:

  • 音频功放:要输入-输出近似线性;
  • 加热器控制:线性不重要,效率才是关键;
  • 更极端的情形只关心送出多少功率、不管波形 → 用开关技术,效率极高。

线性放大器往往在自身耗散大量热能;开关技术则用一点失真换来高效率。线性电路可用 FET 或 BJT 实现(本章以 BJT 为主);开关电路则常用晶闸管(thyristor)、双向可控硅(triac)等专用器件。

19.2 双极晶体管功率放大器

功率放大器要求输出电阻,才能向负载灌入大电流。回忆第 18 章:共集电极组态(射极跟随器)输出电阻低至 ,虽无电压增益,却是功放输出级的标配。

19.2.1 电流源与电流阱:容性负载的难题

现实负载往往不是纯电阻:扬声器有电感,长电缆带来电容。驱动容性负载时,放大器有时要向负载供出电流(充当电流源),有时要吸收电流(充当电流阱)。

图 19.1:带容性负载的射极跟随器

以 npn 射极跟随器为例:输入变正时,晶体管射极电流给电容快速充电——没问题;输入变负时需要放掉电容电荷,但 npn 跟随器只会”推”不会”拉”,放电只能走发射极电阻 ——比放大器输出电阻大得多,放电很慢。换 pnp 管则相反:放电快、充电慢。把 减小能加速,但静态电流和功耗随之暴增,大功率场合行不通。

19.2.2 推挽放大器

解决方案是推挽(push–pull):一只 npn 管负责”推”(供电流),一只 pnp 管负责”拉”(吸电流),负载两个方向都能被低阻驱动。通常配分裂电源(正负电源,负载接地)。任一时刻只有一管导通,静态功耗低。

图 19.3:简单的推挽放大器

交越失真(crossover distortion):基极电压在零附近的小范围内(± ≈ ±0.5~0.7 V),两管都截止,输出出现”死区”。解决办法:在两管基极之间串两只二极管,垫起约 的偏压,让一管恰好在一管关断时导通。但二极管电流远小于输出管电流,其导通压降略小于管子的 ,死区缩小却未消失——更完善的偏置方案见 19.4 节。

图 19.5:解决推挽放大器的交越失真

19.2.3 放大器的效率

效率为什么重要?不是电费问题——吸收了却没送到负载的功率全部变成管子里的废热:热多了就得用更大的功率管、加散热器甚至风扇、放大电源,系统又贵又重。效率主要由放大器的类别(class)决定。

19.3 放大器的类别

类别按输出管导通时间占输入周期的比例划分:

类别导通比例最大理论效率特点
甲(A)100%25%(变压器耦合可近 50%)失真最小、静态功耗大
乙(B)50%约 78%静态零电流、有交越失真
甲乙(AB)50%–100%介于 A、B 之间音频功放主流折中
丙(C)<50%接近 100%严重失真,仅用于射频+滤波
丁(D)开关(全开/全关)理想 100%PWM 开关放大器

甲类:静态电流大于最大输出电流,管子整个周期都导通。失真极低,但空载时也在大量发热——只在高性能音频等”低失真值得花钱”的场合使用。

图 19.6:甲类放大器

乙类:推挽,每管各导通半个周期,静态零电流,理想效率约 78%。

图 19.7:乙类放大器中两管的电流

甲乙类:给乙类加一点偏置(如多加一只二极管),让两管在过零附近同时微导通,交越失真大幅下降,效率略降。这是音频功放的标准选择。

图 19.8:甲乙类放大器

丙类:导通不到半周,可让器件工作在峰值电流而不超功耗上限,效率接近 100%,但波形严重失真,只用于发射机等场合(用谐振回路滤出基波)。

丁类:输出管当开关用——导通时电流大但压降≈0,关断时压降大但电流≈0,两种状态功耗都近乎为零。通过高速通断加脉宽调制(PWM, pulse-width modulation)控制占空比来连续调节输出功率。开关放大器(switching amplifier)效率极高,是现代 D 类功放和开关电源的基础。

Success

类别判断口诀:“看导通角”——整周甲、半周乙、中间甲乙、不足半周丙、开开关关是丁。A/B/AB/C 是线性放大器,D 是开关放大器;线性的几类之间差别就在于静态电流大小。

19.4 功率放大器的实现细节

19.4.1 乙类偏置的精细化

图 19.10 的裸推挽(无偏置二极管)严格说甚至算不上乙类(死区 ±,每管导通不足半周),交越失真巨大。改成真正的乙类需要把两管基极电压分开约 ,方法有:

图 19.11:用二极管做基极偏置

  • 两只二极管串在两基极之间;
  • 再加一只小预调电位器(preset)与二极管串联,微调两基极间的电压:调到恰好没有静态电流时是乙类;调到有一点静态电流、消除交越失真时是甲乙类。

图 19.12:用预调电阻设定偏置电压

Warning

推挽输出级最经典的翻车事故是热失控(thermal runaway):输出管发热 → 下降 → 两基极间电压超过两管导通电压之和 → 静态电流出现并增大 → 发热更多 → 循环加剧直到烧管。对策:把偏置二极管(或 倍乘器里的晶体管)紧贴输出管安装做温度补偿——管子变热时二极管也变热,压降同步下降,偏压自动回缩。

19.4.2 稳定静态电流的措施

  • 发射极小电阻:两输出管各串几欧(大功率时更小)的射极电阻,电流增大 → 压降增大 → 被压低,构成串联负反馈,稳定静态电流,功耗很小;
  • 达林顿输出:大功率管电流增益低(可能只有 10–60),用达林顿对(或互补达林顿)把增益提到千级,减轻驱动负担。注意达林顿需要 (同型对)或 (互补对)的偏置电压,相应要配四只或两只二极管;
  • 倍乘器:用一只晶体管+两只电阻替代二极管链。因基流可忽略:

改变电阻比值就能得到任意倍数,一只管子顶整串二极管,同样要贴着输出管装做温度补偿。

图 19.15:V_BE 倍乘器及其在输出级中的应用

19.4.3 为集成而设计:有源负载

分立电路里电阻电容便宜,能省则省无所谓;集成电路规则相反——晶体管比电阻省芯片面积,设计思路变为”能用有源器件就不用无源器件”:

  • 负载电阻 → 二极管串(等效电阻为各管斜率电阻之和,但每只贡献 0.7 V 压降、阻值又小,不理想);
  • 负载电阻 → 电流镜:恒流 供出,任何小信号集电极电流变化都直接呈现在输出上;一只电流镜可同时给多级当负载;
  • FET 当有源负载(第 17 章的逻辑反相器就是实例);
  • 长尾对的两只负载电阻用电流镜的两条臂代替:零电阻、增益可达数千——这是双极运放输入级的标配。

19.5 四层器件:晶闸管与双向可控硅

晶体管做逻辑开关很在行,但高电压大电流下就吃力:高增益需要薄基区,薄基区又导致低击穿电压。于是出现了专为功率开关设计的四层(pnpn)器件。

19.5.1 晶闸管(thyristor / SCR)

结构:pnpn 四层,两端引出阳极(anode,p 端)与阴极(cathode,n 端),内层 p 区引出门极(gate)。不接门极时,它相当于三只二极管串联(两正一反),无论加什么电压总有一只反偏——完全不通

理解其工作的最好模型是两只互耦的晶体管(pnp 管 T1 与 npn 管 T2):

图 19.19:晶闸管的双晶体管模型

阳极相对阴极为正但初始都截止时,状态是稳定的。门极一来正脉冲:T2 导通 → 其集电极电流注入 T1 基极 → T1 导通 → T1 的集电极电流又反过来注入 T2 基极 → 正反馈(再生过程),电流自我维持地增长,直到两管都饱和、电流被外电路限制。此后撤掉门极信号电流照样维持——这就是晶闸管最独特的”一触即锁”特性。

关键参数与行为:

  • 导通条件:门极脉冲 + 阳极正偏;触发后只要阳极电流不低于维持电流(holding current),就一直导通;
  • 关断:电流降到维持电流以下(如交流过零)自动关断——晶闸管不能靠门极关断
  • 关态耐压几百到几千伏,通态只需 1 V 左右压降即可通过几十上百安;触发电流从 200 μA(小管)到 200 mA(百安级管);开关时间约 1 μs;
  • 功率开关也发热,较大器件必须装散热器;
  • 只能单向导电,故又名可控硅整流器(SCR, silicon-controlled rectifier)。

交流调功应用:晶闸管与负载串入交流回路,触发脉冲固定在每周期同一相位角。一旦触发便导通到电压过零为止。改变触发相位角即可在 0–50%(半波控制)范围内调节负载功率;门极电路因与电源共地,通常用光电隔离。两只晶闸管反并联可得 0–100% 的全波控制,但要复制一整套触发与隔离电路。

19.5.2 双向可控硅(triac)与双向触发二极管(diac)

triac 相当于两只反并联的晶闸管合为一体,两个半周期都能导通,且一只门极就能触发(正负脉冲均可)。两端电极对称,称 MT1、MT2(主端子),门极电压以 MT1 为参考。

图 19.22:triac 与 diac 的符号

diac(双向触发二极管)是没有门极的 triac:电压低于转折电压(breakover voltage,典型 30–35 V)时截止,一旦超过便雪崩导通、两个方向都一样。它常用来给 triac 的门极”打火”。

经典应用:调光器(图 19.23)。电源经 给电容充电,电容电压升到 diac 转折电压(约 30 V)瞬间,diac 导通,一股电流脉冲打进 triac 门极,triac 触发并维持到半周期结束(电压过零、电流低于维持电流)。调 改变充电速率,即改变每半周的触发相位角——功率从近零调到近满。 限制最小总电阻,防止电位器打到底时烧毁。

图 19.23:用 triac 制作的简易调光器

Warning

相位控制(phase control,在半周中途触发)会在触发瞬间产生陡峭的电流跳变,通过电源线传播或以电磁干扰(EMI)形式辐射,干扰其他设备。替代方案是整周通断控制(burst firing):只在电压过零点开关 triac、靠改变导通与关断半周数之比调功——无干扰,但只适合热惯性大的负载(如加热器),用于灯具会闪烁。

Success

三件套记忆法:thyristor 单向”点触发锁存”,triac 双向”一管通两半周”,diac 无门极”过压自触发”。晶闸管靠门极开、靠电流关;triac 是它的双向版;diac 专为给 triac 门极提供陡峭触发脉冲而生。

19.6 直流稳压电源

19.6.1 非稳压电源

最基本的低压直流电源三件套:降压变压器 + 全波整流器 + 储能(滤波)电容。输出电压由输入电压与变压器变比决定;负载电流越大,纹波越大、平均输出越低。适合对电压稳定度要求不高的场合(如电池充电)。

图 19.24:典型的非稳压电源

19.6.2 线性稳压电源

把非稳压电源接上稳压器就成了稳压电源。第 18 章的射极跟随器+齐纳管(图 19.26(a))是入门版:输出 ,简单但不精确。

实用版加入取样反馈(图 19.26(b)): 分压取样输出,T2 把取样电压与齐纳基准比较,输出偏高时 T2 集电极电流增大、把 T1 基极电压拉低,形成负反馈。稳态时取样点电压 V,于是:

算例(例 19.1) V, kΩ, kΩ → V。实际产品是专用稳压 IC:内部用运放替代 T2 提高增益与调整率,还带限流保护;有固定电压型(+5、±15 V 等),也有外接电阻设定输出电压的可调型。

图 19.25:稳压电源的结构

线性稳压的致命短板——功耗:为维持调整能力,输入必须比输出高一些,压差全部落在调整管上。例 19.2: V, V,负载 5 Ω → 输出电流 2 A,负载得 20 W,调整管白白烧掉 W——与负载功耗同一量级!加上工频变压器又重又大,线性电源在高功率场合非常不经济。

19.6.3 开关稳压电源(开关电源)

开关稳压器的思路:让开关以约 20 kHz 以上(现代远高于此)的固定频率通断,改变占空比(duty cycle,导通时间占比)来控制输出的平均值——这正是丁类放大/PWM 的思想。理想开关两种状态功耗都为零(关时无电流、开时无压降),实际晶体管开关特性也很好,所以效率极高。

图 19.27:开关稳压器的结构与 PWM 波形

LC 平均电路(图 19.28)把 PWM 方波”抹平”成直流:开关闭合时电流经电感流向电容储能;开关断开时电感维持电流(产生感应电动势)、经续流二极管继续给电容充电。负载取流后电路达到平衡,输出等于开关波形平均值加小纹波。

图 19.28:LC 平均电路

闭环稳压(图 19.29): 取样输出得 ,与齐纳基准 比较,比较器调节 PWM 占空比—— 低就加大占空比,高就减小。稳态时 ,输出电压为:

图 19.29:开关稳压器中的反馈

把线性稳压器换成开关稳压器,还能进一步甩掉工频变压器:市电直接整流后进开关稳压器。这样的电源叫开关电源(switch-mode power supply/unit, SMPU)。如今可以用专用稳压 IC 加少量外围元件搭建,也可直接购买成品模块。优点是效率高、体积小、重量轻;代价是电路复杂、开关噪声需要处理。

Success

电源演进主线:“变压→整流→滤波”是底座,“取样-比较-反馈”是稳压的灵魂。线性稳压器靠”调管压降”稳压(简单但烧功率),开关稳压器靠”调占空比”稳压(复杂但高效省热)。记住例 19.2 那个 10 W 白烧的数字,就明白为什么现代设备几乎全用开关电源。

自测