一句话
SLEEP 是「浅睡」——MCU 主电还在，随时能被叫醒干活；STANDBY 是「深睡」——只剩守夜的 VSTBY，醒来要重新走配置流程。
SLEEP：浅睡
- 前级 Buck 和 LDO_UC 保持上电（MCU 可以进 STOP 模式继续活着）
- VR/VCO/VT1/VT2 按进睡前 SPI 写好的配置决定开还是关（SLEEP 态里不能改）
- 静态电流典型 380μA
- 唤醒后进入 WAKE 态（不是直接回 NORMAL）——MCU 需要先把看门狗和 ERR 监控伺服好，才能回 NORMAL（第 10 篇）
- 特殊保险：SLEEP 态下 LDO_UC 的负载电流被监视，超过阈值（10/30/60/100mA 可配）会触发中断并自动进 WAKE——防止「MCU 说要睡却偷偷干活」
STANDBY：深睡
- 除 VSTBY（可选保持开）外全部电源关闭，静态电流典型 60μA
- 进入前 MCU 通过 SPI 请求；唤醒只能靠：EN 上升沿、WAKE 高电平、或唤醒定时器
- 唤醒后走完整的 INIT 配置流程（第 11 篇那八步再来一遍）
唤醒定时器：最长睡 190 天
- 24 位计数器（WKTIMCFG0~2），时基可选 1ms 或 1s
- 1ms 时基：最长约 16800s（4.7 小时），分辨率 1ms
- 1s 时基：最长约 190 天——停车数月后定时唤醒做电池均衡这类场景
- 被外部信号提前唤醒时，MCU 可以读回剩余计数值，算出「实际睡了多久」
自测一下
MCU 想「睡 30 秒后被定时器叫醒」，应该选哪个状态？
答案：两种都行，看醒来后要什么。选 SLEEP：醒来快、MCU 主电没断（适合周期任务）；选 STANDBY：更省电，但醒来要重走 INIT 配置（适合长间隔、低频唤醒）。30 秒用 1ms 时基即可精确覆盖。