一句话
手册末尾给了完整的参考应用电路和 BOM 表——第一次设计直接照抄，等系统跑稳了再做自己的裁剪。布局五条铁律违反任何一条都可能让 EMC 或稳定性翻车。
参考电路 BOM 走读
| 位号 | 器件 | 什么时候要 |
|---|---|---|
| C1 | 100μF/50V 电解 | Boost 用时才要（输入储能） |
| L1 22μH + Q1 60V NMOS + D1 | Boost 三件套 | 不用 Boost 全部省掉 |
| R1 0.1Ω | Boost 限流采样 | 同上 |
| L2 | 22μH（400kHz）/ 4.7μH（2.2MHz） | 频率决定电感值，别抄错列 |
| C7/C8/C23/C24 | 22μF（400kHz）/ 10μF（2.2MHz） | 前级输出电容，也跟频率走 |
| C2/C3/C17/C19 | 输入与中段滤波 | 常备 |
抄 BOM 最容易踩的坑
表里「400kHz / 2.2MHz」两列的电感和电容不能混——频率与 L、C 是配套设计的，改频率必须同步换外围。
PCB 布局五条铁律
- 至少四层板，完整地平面（车规电源板的基本盘）
- 开关节点 LX_PRE 走线短而宽——这是 dV/dt 最猛的节点，越长天线越大
- 输入电容（VIN/VINST/VOPRE）贴着芯片放——输入回路是最大的 EMI 源头
- 各 LDO 输出电容贴各自引脚；可用并联电容压低 ESR
- 所有地脚和暴露焊盘打多过孔接地平面——散热（θJA 25.5℃/W 全靠它）+ 降地阻抗一起解决
散热账
QFN 底部暴露焊盘 θJCBottom 仅 5℃/W，是主要散热通道。焊盘上的过孔阵列偷懒减半，结温轻松多爬十几度——车规 125℃ 环境下这就是可用与不可用的差别。
自测一下
2.2MHz 方案想把输出电容从 47μF 加大到 100μF「更稳」，可以吗？
答案：不推荐直接加。LDO 输出电容影响软启动时间（越大启动越慢），前级 Buck 的环路也是按推荐电容设计的，擅自加大可能让瞬态响应变差。真要改，先看手册对应脚位的电容范围约束（多数 LDO 上限 10~47μF）并实测验证。