📖 第 8 章：FET 放大器（FET Amplifiers）
📗 Boylestad《Electronic Devices and Circuit Theory》11th Ed. · Chapter 8
🗨️ 本章金句：「FET 放大器的灵魂是两个参数：g_m 管输入怎么变电流，r_d 管输出有多「硬」。」
这一章在干嘛？ 给 FET 搭「小信号等效模型」，然后像第 5 章分析 BJT 一样，逐个分析共源、共漏（源随器）、共栅三种组态的增益与阻抗。最后把 D-MOSFET、E-MOSFET 的模型也补齐——FET 放大器高输入阻抗、低噪声，是很多前端电路的心头好。
8.1 两个关键参数：gm 与 rd
FET 是压控电流源：栅压变化 ΔVGS 引起漏极电流变化 ΔID。跨导 gm 描述这个「电压→电流」的转换效率：
gm = ΔID/ΔVGS = gm0·(1 − VGS/VP) gm0 = 2·IDSS/|VP|
输出端看，漏极特性曲线在放大区并不完全水平，微微上翘，用输出电阻 rd 描述：
直觉： gm 越大放大能力越强（Q 点越靠近 IDSS 越大）；rd 通常几十 kΩ 起，初步估算常按开路处理。
8.2 JFET 等效模型与共源放大
把 FET 翻译成电路语言：输入端近乎开路（栅极无穷阻），输出端是受控电流源 gmVgs 并联 rd：
共源组态（固定偏置放大器）：信号进栅极、出漏极，输出与输入反相：
Zi = RG Zo = rd∥RD Av = −gm·(rd∥RD) （rd≫RD 时 ≈ −gmRD）
8.3 自偏压与分压偏置放大器
自偏压电路若 RS 不并联旁路电容，会引入负反馈使增益下降（Av ≈ −gmRD/(1+gmRS)）：
分压偏置版同理，只是栅极电位由分压网络定：
工程习惯： 要增益就在 RS 上并大电容（旁路）；要稳定就留着 RS。和 BJT 的 RE 一模一样的取舍。
8.4 共栅与源极跟随器
共栅组态：信号从源极进、漏极出，输入阻抗低（≈1/gm）、不反相，高频性能好：
共漏组态（源极跟随器）：输出从源极取，增益略小于 1、不反相，输入阻抗极高——当「阻抗变换器/缓冲器」用：
三组态速记： 共源=反相有增益（干活的）；共漏=跟屁虫（缓冲的）；共栅=低进低出（高频的）。和 BJT 的共射/共集/共基一一对应。
8.5 D-MOSFET 与 E-MOSFET 放大器
D-MOSFET 因为 VGS 可正可负，交流模型与 JFET 相同：
E-MOSFET 的受控源改用 gm=2k(VGS−VT) 表达，典型接法是漏极反馈与分压偏置：
🧠 小测验
1. g_m 的物理意义是什么？怎么从手册参数估算最大值？
g_m 是转移曲线在 Q 点的斜率，表示栅压对漏极电流的控制能力。最大值 g_m0=2I_DSS/|V_P|，Q 点越靠近 V_GS=0，g_m 越大。
2. 共源放大器的增益为什么是负号？
共源从栅极进、漏极出：栅压升高→漏极电流增大→R_D 压降增大→漏极电位下降。输入输出反相，所以 A_v=−g_m(R_D∥r_d) 带负号。
3. 源极跟随器增益小于 1，那它图什么？
图阻抗：输入阻抗极高（几乎不从前级取电流），输出阻抗低（≈1/g_m），能把高内阻信号源「缓冲」后驱动低阻负载，增益损失换隔离。