这套资料在干嘛？
这是安路官方应用笔记 APUG011 的讲解。当片内 ERAM（约 500Kbit）不够用时，这套参考设计教你把 EG4S 芯片内部集成的 64Mb SDRAM，包装成一个”虚拟 ERAM”来用——接口和普通 RAM 一样简单，但容量大了上百倍，读写时钟可跑到 200MHz，带宽 6Gbps 以上。
📚 目录
| 篇目 | 主题 | 你会学到 |
|---|---|---|
| 📘 ERAM 不够用？把 SDRAM 伪装成一块大 RAM | 解读 APUG011 参考设计的架构、读写时序、刷新机制与移植要点 | ERAM 三种形态、虚拟 ERAM 框图、读写时序、数据掩码、地址跳跃规则、刷新配置、资源占用与移植清单 |
通关标准：
- 能说清”虚拟 ERAM”方案的思路：外部接口长得像 ERAM，背后实际是 SDRAM
- 能看懂用户写/读时序图，知道掩码 app_wr_dm 和地址跳跃（低 2 位补 0）怎么用
- 拿到工程后知道改 global_def.v 里的哪些宏、上电要先等 sdr_init_done、读写前要避刷新